BSC13DN30NSFD / NTMFS016N06CT1G

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant BSC13DN30NSFD et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

BSC13DN30NSFD

16A Id, 300V Vds, OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 130mOhm Ron, Qg (typ) 30.0nC, PG-TDSON-8

  • 16A Id, 300V Vds, OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 130mOhm Ron, Qg (typ) 30.0nC, PG-TDSON-8
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

NTMFS016N06CT1G

33A Id, 60V Vds, N-Channel Power MOSFET, 15.6mOhm Ron, -55 to 175 °C, SO-8FL

  • 33A Id, 60V Vds, N-Channel Power MOSFET, 15.6mOhm Ron, -55 to 175 °C, SO-8FL
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique