C3M0065090J / C2M1000170J

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant C3M0065090J et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

C3M0065090J

35A Id, 900V Vds, 65mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-263-7

  • 35A Id, 900V Vds, 65mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-263-7
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

C2M1000170J

5.3A Id, 1700V Vds, 1000mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-263-7

  • 5.3A Id, 1700V Vds, 1000mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-263-7
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique