IPD50R380CE / BUZ31

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant IPD50R380CE et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

IPD50R380CE

14.1A Id, 500V Vds, CoolMOS N-Channel Power MOSFET, 380mOhm Ron, 24.8nC Qg (typ), TO-252-2

  • 14.1A Id, 500V Vds, CoolMOS N-Channel Power MOSFET, 380mOhm Ron, 24.8nC Qg (typ), TO-252-2
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

BUZ31

14.5A Id, 200V Vds, SIPMOS Power Transistor, N-Channel MOSFET, 0.2 ohms Rds, normal level (Vgs(th) = 2.1 .. 3.0 .. 4.0V), TO-220

  • 14.5A Id, 200V Vds, SIPMOS Power Transistor, N-Channel MOSFET, 0.2 ohms Rds, normal level (Vgs(th) = 2.1 .. 3.0 .. 4.0V), TO-220
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique