IPDD60R050G7 / IPDD60R080G7

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant IPDD60R050G7 et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

IPDD60R050G7

47A Id, 600V Vds, 50mOhm, N-Channel MOSFET, CoolMOS G7, PG-HDSOP-10-1 (DDPAK)

  • 47A Id, 600V Vds, 50mOhm, N-Channel MOSFET, CoolMOS G7, PG-HDSOP-10-1 (DDPAK)
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

IPDD60R080G7

29A Id, 600V Vds, 80mOhm, N-Channel MOSFET, CoolMOS G7, PG-HDSOP-10-1 (DDPAK)

  • 29A Id, 600V Vds, 80mOhm, N-Channel MOSFET, CoolMOS G7, PG-HDSOP-10-1 (DDPAK)
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique