IPT012N08N5 / IPT015N10N5

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant IPT012N08N5 et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

IPT012N08N5

300A Id, 80V Vds, OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 1.2mOhm Ron, Qg (typ) 178.0nC, PG-HSOF-8

  • 300A Id, 80V Vds, OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 1.2mOhm Ron, Qg (typ) 178.0nC, PG-HSOF-8
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

IPT015N10N5

300A Id, 100V Vds, OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 1.5mOhm Ron, Qg (typ) 169.0nC, PG-HSOF-8

  • 300A Id, 100V Vds, OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 1.5mOhm Ron, Qg (typ) 169.0nC, PG-HSOF-8
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique