IRF7309PBF / FDS4559

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant IRF7309PBF et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

IRF7309PBF

4A/-3A Id, 30V/-30 Vdss, Dual N and P-Channel MOSFET, HEXFET, 0.050 / 0.10 ohms Rds(on), SOIC-8

  • 4A/-3A Id, 30V/-30 Vdss, Dual N and P-Channel MOSFET, HEXFET, 0.050 / 0.10 ohms Rds(on), SOIC-8
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

FDS4559

4.5A Id, 60V Vds, Dual N and P Channel MOSFET, 55mOhm Ron, 10V Vgs, SO8L

  • 4.5A Id, 60V Vds, Dual N and P Channel MOSFET, 55mOhm Ron, 10V Vgs, SO8L
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique