SCTL35N65G2V

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant SCTL35N65G2V et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

SCTL35N65G2V

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 40 A, ST_PowerFLAT_HV-5

  • Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 40 A, ST_PowerFLAT_HV-5
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique