IGT60R070D1 / IGT60R190D1S

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant IGT60R070D1 et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

IGT60R070D1

31A Id, 600V Vds, 70mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8

  • 31A Id, 600V Vds, 70mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

IGT60R190D1S

12.5A Id, 600V Vds, 190mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8

  • 12.5A Id, 600V Vds, 190mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique