Tutoriel : IGT60R070D1 / IGT60R190D1S
Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.
Transistors & diodes
Documentation courte et préparation du premier essai
- Repérer le composant IGT60R070D1 et son boîtier.
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.
IGT60R070D1
31A Id, 600V Vds, 70mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8
- 31A Id, 600V Vds, 70mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
IGT60R190D1S
12.5A Id, 600V Vds, 190mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8
- 12.5A Id, 600V Vds, 190mOhm, N-Channel GaN MOSFET, HSOF-8
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Les entrées et sorties doivent correspondre à la fonction décrite dans la documentation de la référence choisie.