IPB180N10S4-02

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant IPB180N10S4-02 et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

IPB180N10S4-02

180A Id, 100V Vds, OptiMOS-T2 N-Channel Power MOSFET, 2.5mOhm Ron, Qg (typ) 156nC, TO-263-6

  • 180A Id, 100V Vds, OptiMOS-T2 N-Channel Power MOSFET, 2.5mOhm Ron, Qg (typ) 156nC, TO-263-6
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique