Tutoriel : IPB180N10S4-02
Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.
Transistors & diodes
Documentation courte et préparation du premier essai
- Repérer le composant IPB180N10S4-02 et son boîtier.
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.
IPB180N10S4-02
180A Id, 100V Vds, OptiMOS-T2 N-Channel Power MOSFET, 2.5mOhm Ron, Qg (typ) 156nC, TO-263-6
- 180A Id, 100V Vds, OptiMOS-T2 N-Channel Power MOSFET, 2.5mOhm Ron, Qg (typ) 156nC, TO-263-6
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Les entrées et sorties doivent correspondre à la fonction décrite dans la documentation de la référence choisie.