Tutoriel : BSB165N15NZ3 / IRF6641

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

BSB165N15NZ3 / IRF6641

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant BSB165N15NZ3 et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

BSB165N15NZ3

45A Id, 150V Vds, 16.5mOhm Rds, N-Channel MOSFET, DirectFET MZ

  • 45A Id, 150V Vds, 16.5mOhm Rds, N-Channel MOSFET, DirectFET MZ
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

IRF6641

26A Id, 200V Vds, 59.9mOhm Rds, N-Channel MOSFET, DirectFET MZ

  • 26A Id, 200V Vds, 59.9mOhm Rds, N-Channel MOSFET, DirectFET MZ
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

Les entrées et sorties doivent correspondre à la fonction décrite dans la documentation de la référence choisie.