Tutoriel : C3M0065090D / C2M0025120D
Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.
Transistors & diodes
Documentation courte et préparation du premier essai
- Repérer le composant C3M0065090D et son boîtier.
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.
C3M0065090D
36A Id, 900V Vds, 65mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-247
- 36A Id, 900V Vds, 65mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-247
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
C2M0025120D
90A Id, 1200V Vds, 25mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-247
- 90A Id, 1200V Vds, 25mOhm, N-Channel SiC MOSFET, TO-247
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Les entrées et sorties doivent correspondre à la fonction décrite dans la documentation de la référence choisie.