Tutoriel : IGLD60R070D1 / IGLD60R190D1
Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.
Transistors & diodes
Documentation courte et préparation du premier essai
- Repérer le composant IGLD60R070D1 et son boîtier.
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.
IGLD60R070D1
15A Id, 600V Vds, 70mOhm, N-Channel GaN MOSFET, LSON-8
- 15A Id, 600V Vds, 70mOhm, N-Channel GaN MOSFET, LSON-8
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
IGLD60R190D1
10A Id, 600V Vds, 190mOhm, N-Channel GaN MOSFET, LSON-8
- 10A Id, 600V Vds, 190mOhm, N-Channel GaN MOSFET, LSON-8
- Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
- Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
- Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Les entrées et sorties doivent correspondre à la fonction décrite dans la documentation de la référence choisie.