Tutoriel : SQJQ160E / SQJQ100E

Assure une commutation, un redressement ou une protection selon sa technologie.

SQJQ160E / SQJQ100E

Tutoriel / documentation

Transistors & diodes

Documentation courte et préparation du premier essai

  1. Repérer le composant SQJQ160E et son boîtier.
  2. Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  3. Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  4. Consulter le schéma d’application de la documentation liée avant tout essai.

SQJQ160E

602A Id, 60V Vds, N-Channel TrenchFET MOSFET, 0.85mOhm Ron, 42nC Qqd, -55 to 175 °C, LFPAK88

  • 602A Id, 60V Vds, N-Channel TrenchFET MOSFET, 0.85mOhm Ron, 42nC Qqd, -55 to 175 °C, LFPAK88
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

SQJQ100E

200A Id, 40V Vds, N-Channel TrenchFET MOSFET, 1.5mOhm Ron, 13nC Qqd, -55 to 175 °C, LFPAK88

  • 200A Id, 40V Vds, N-Channel TrenchFET MOSFET, 1.5mOhm Ron, 13nC Qqd, -55 to 175 °C, LFPAK88
  • Identifier les bornes et la polarité dans le boîtier choisi.
  • Vérifier tension, courant, dissipation et condition de commande.
  • Le brochage et les valeurs limites de la documentation constructeur priment sur cette fiche.
Documentation technique

Les entrées et sorties doivent correspondre à la fonction décrite dans la documentation de la référence choisie.